快科技2月27日消息，据海外媒体最新报道，三星预计在今年下半年，启用中国存储专利技术来生产相关芯片。
近期，三星电子已和中国存储芯片企业长江存储签订了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。据消息人士透露，三星打算在2025年下半年量产下一代V10 NAND，届时会采用长江存储的专利技术，尤其是“混合键合”技术。
三星选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是因为当前长江存储在“混合键合”技术领域处于全球领先水平。而且三星评估后认为，从下一代V10 NAND起，已难以避开长江存储专利的影响。
对中国存储行业而言，这无疑是令人振奋的消息，从曾经的落后到如今的超越，这也从侧面彰显了中国科技自主创新的成果。
